三星、海力士集体大跌!机构:存储芯片涨幅明显放缓
9月2日,韩国KOSPI指数跌幅扩大至4%,SK海力士跌4.67%,三星电子跌4.21%。
9月2日,韩国KOSPI指数跌幅扩大至4%,SK海力士跌4.67%,三星电子跌4.21%。
高盛最新发布的存储价格跟踪报告称,2026年三季度DRAM与NAND的平均售价走势与此前预期基本吻合,存储芯片整体仍处于景气上升通道,因此继续给予韩国“存储双雄”——三星电子和SK海力士“买入”评级。
高盛称,本轮存储涨价已经呈现明显的结构性特征:PC和服务器DRAM继续保持较强价格动能,手机存储需求则受到库存上升拖累。但供应商持续将有限产能优先配置给服务器DRAM和高带宽内存(HBM),正在限制传统存储供应增长,这也成为支撑2027年价格的重要因素。
9月1日,调研机构群智咨询(Sigmaintell)发布的存储价格风向标显示,2026年第三季度,全球存储市场整体供需依旧紧缺,DRAM、NAND Flash全品类价格维持环比上行,但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓,部分存储芯片的环比涨幅已收窄到10%以内。
隔夜美股方面,半导体、存储概念股集体大跌,费城半导体指数收跌2.14%。泛林集团、应用材料跌超3%,AMD、德州仪器跌超2%;美光科技、SK海力士跌超2%,闪迪、希捷科技跌超1%。

