荷兰光刻机巨头拟联合台积电、三星、英特尔开发大尺寸掩模版，满足英伟达芯片需求

9月8日，财闻海外资讯援引路透社报道，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML.US）计划与台积电（TSM.US）、三星电子和英特尔（INTC.US）等主要客户合作，为其最 先进的“高数值孔径”（High-NA）极紫外光刻（EUV）工具开发更大尺寸的掩模版，以满足英伟达（NVDA.US）等公司设计的大型数据中心芯片的生产需求。

随着AI芯片尺寸不断增大，现有掩模版尺寸已难以满足制造需求。更大尺寸的掩模版将允许在单张掩模版上刻画更复杂的电路图案，从而提升芯片制造效率和精度。High-NA EUV是ASML下一代光刻技术，数值孔径从0.33提升至0.55，可实现更高分辨率的图案转移。配合更大尺寸掩模版，该技术有望将芯片晶体管密度进一步提升，延续摩尔定律的发展路径。

ASML预计，采用新掩模版技术的High-NA EUV设备将在2033年前后投入量产，与业界2纳米及以下先进制程的量产节奏相衔接，为下一代AI和高性能计算芯片提供制造基础。

值得注意的是，当日摩根士丹利将阿斯麦欧股目标价从1930欧元下调至1700欧元。