SK海力士涨超4%，海内外AI模型持续迭代推升存储消耗，全球存储周期上行预期强化

9月9日，韩国综合指数涨幅扩大至2%。SK海力士涨超4%，三星电子涨超1%。

消息面上，英特尔（INTC.US）发布公告，披露其代工业务与阿斯麦（ASML.US）在高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）技术应用方面的进展。英特尔表示，该技术已用于部分酷睿Ultra第三代处理器特定层的量产。公告称，在英特尔18A工艺中，采用High NA技术制造的部分层，其性能达到或超过采用现有NXE平台加工的可比层。双方还将继续推进更大尺寸掩模版相关的标准、基础设施和技术发展。

另据报道，高通（QCOM.US）宣布与亚马逊（AMZN.US）共同开发用于AWS人工智能基础设施的定制芯片，合作横跨多代产品，既包括运行AI服务的芯片、也包括负责计算机内部组件互联的芯片。高通未来十年相关芯片订单金额最高可达600亿美元，并向亚马逊发行2500万股认股权证、价值最高约40亿美元。

韩国KB证券指出，全球AI模型性能竞争加剧将提速存储芯片结构性需求增长，预测三星电子与SK海力士（SKHY.US）将成为受益方。该机构研究本部部长金东元解释，美国前沿大模型拉高AI性能上限，致使单次查询与任务处理所需算力及数据处理量上升，存储芯片消耗量同步增加；而中国高效模型凭借低廉推理成本扩大新增用户规模与使用频次，亦将扩张整体AI总运算量。

报告指出，明年存储市场强劲上行周期将是三星电子与SK海力士创下史上少见的强力业绩的核心驱动力，故将其列为首选推荐标的。