全球NAND格局生变，铠侠否决SK海力士合作构想，AI驱动存储芯片进入强景气周期

9月9日，日经225指数收跌0.19%，报65142.78点；韩国KOSPI指数收涨1.40%，报7051.63点。

消息面上，铠侠首席执行官（CEO）Hiroo Ota近日表示，这将遭遇反垄断阻碍，且难以与铠侠同闪迪（SNDK.US）公司合资拥有的制造设施相协调，排除了与SK海力士（SKHY.US）深化合作的可能性。铠侠承诺将遏制存储芯片价格的飙升，以免损害长期的人工智能需求。

此前，9月初有消息称，SK集团正考虑在日本建设芯片工厂，并谋求与铠侠深化合作。SK集团会长崔泰源透露，双方可能在日本联合生产NAND闪存，并进一步推进供应链协调和联合研发。若合作落地，SK海力士与铠侠的NAND市场份额合计将超过三星电子，全球存储芯片竞争格局或迎来新的变化。

同时，SK海力士劳资双方将在劳资薪酬集体协议临时方案被否决3周后，再次举行工会全员投票。

据悉，SK海力士工会将于10日召开紧急临时代表大会，讲解临时协议方案，并计划在15日至16日举行工会全员投票。修改后的方案相较于原临时协议有哪些变动，将在10日代表大会上对外公布。

展望后市，韩国KB证券指出，全球AI模型性能竞争加剧将提速存储芯片结构性需求增长，预测三星电子与SK海力士将成为受益方。该机构研究本部部长金东元解释，美国前沿大模型拉高AI性能上限，致使单次查询与任务处理所需算力及数据处理量上升，存储芯片消耗量同步增加；而中国高效模型凭借低廉推理成本扩大新增用户规模与使用频次，亦将扩张整体AI总运算量。

报告指出，明年存储市场强劲上行周期将是三星电子与SK海力士创下史上少见的强力业绩的核心驱动力，故将其列为首选推荐标的。