三星为英伟达下一代NVHBM选用台积电 3nm 工艺制造基底裸片

10月19日，据财闻海外资讯，三星电子在开发英伟达（NVDA.US）的下一代定制高带宽内存 (HBM) 时，决定使用台积电（TSM.US）的工艺生产基础芯片（核心部件）。

英伟达要求三星电子、SK 海力士和美光科技（MU.US）（今年8月推出的定制 HBM）生产 NVHBM 的供应商，在台积电的3纳米工艺上制造基础芯片，并在第六代 DRAM 工艺上标准化核心芯片 (1c)，因为供应商之间的制造方法不一致，很难一致地提供设计性能。

这是三星电子首次在 HBM 制造阶段而非封装阶段与台积电合作，标志着三星电子改变了内部生产核心芯片和基础芯片的交钥匙方式。三星电子计划坚持其标准 HBM 产品和为 AMD 等其他客户定制 HBM 的统包战略，并表示还在测试使用自己的代工厂的可能性，以防 NVHBM 需求超过台积电的产能。