半导体重磅合作！三星联手ASML研发高NA EUV，冲击1.4nm工艺

9月9日，据财闻海外资讯，三星电子将与全球光刻设备制造商ASML共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。

三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作，即将自20世纪80年代以来一直使用的6英寸光掩模版转向12英寸版本，并力争率先基于高NA EUV设备建立DRAM量产体系。

三星计划从2028年开始将高NA EUV设备应用于DRAM生产，随后进一步将这项技术扩展至1.4纳米先进逻辑工艺，以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补EUV技术的局限。

高NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%，能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的6英寸掩模版替换为12英寸掩模版，可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。